美股交易所買賣基金（ETF）市場近期迎來一隻備受矚目的新產品。Roundhill Investments 旗下專注於全球記憶體半導體產業鏈的主動管理型基金「Roundhill Memory ETF」（代號：DRAM）迅速成為今年最受關注的主題ETF之一，成為史上增長最快的新發 ETF 之一。
DRAM掛牌十日吸金10億 散戶瘋搶
根據基金公司資料，Roundhill Memory ETF 的管理費率為 0.65%，採取主動管理策略，聚焦全球記憶體半導體及相關供應鏈企業，持股數量通常維持在約 10 檔左右，組合相當集中。目前其首三大持股分別為韓國 SK 海力士、美國美光科技（Micron Technology）以及韓國三星電子，合計權重超過整體組合的 70%，令基金表現與這三家記憶體巨頭股價高度聯動。
為符合美國投資公司多元化及持股比例相關的監管要求，基金在部分持股（包括美光在內）會使用總回報掉期（Total Return Swap）等衍生工具形式間接持有，而不完全以現股持倉呈現，這也使得其在集中度與合規間取得一定平衡。
DRAM ETF在掛牌約 10 個交易日後資產管理規模已突破 10 億美元，其後持續吸引資金，到 5 月中旬 AUM 已超過 60 億美元。市場研究機構數據顯示，自上市起約 27 個交易日內，累計散戶淨買入金額已突破 2 億美元，吸金節奏甚至快於 2020 年以來多數熱門主題ETF，在與 2024 年比特幣現貨 ETF 的同時期比較中亦毫不遜色。
Vanda Research 的分析顯示，DRAM 自掛牌以來，散戶投資者的參與度持續升溫，在首 27 個交易日內，散戶累計淨買入金額已突破 2 億美元，並且在某些交易日單日貢獻的流入額超過 5,000 萬美元，使這隻 ETF 成為當前半導體投資熱潮中最具代表性的交易工具之一。
隨著人工智能運算需求爆發，高效能記憶體晶片成為支撐大型語言模型、雲端數據中心及 AI 加速器運算的關鍵零組件，市場對高頻寬記憶體（HBM）及先進 DRAM 產品的需求達到前所未有的水平。DRAM ETF 的成功，可視為資金集中追逐 AI 基建與記憶體周期紅利的最新載體，投資者希望透過一籃子記憶體股放大對這一結構性趨勢的曝險。
2026 年年初至今，SK 海力士與三星電子股價均錄得顯著升幅，部分外電形容 SK 海力士股價在近期記憶體周期復甦中接近「倍升」，三星電子股價亦錄得強勁漲幅。美光科技方面，受惠於 AI 記憶體需求與 HBM 產品放量，股價自 2025 年約 100 美元附近水平明顯上行，分析師普遍給予的 12 個月目標價區間約在 86–500 美元之間，平均預期約在 280–290 美元，反映市場對其未來盈利能力有相當高的成長預期，但實際價格仍遠低於 700 美元以上的極端樂觀情境。
更多AI概念股相關報導
集體發達｜OpenAI逾600員工參與售股 75人身家暴漲逾2億
新加坡主體模式失效｜中國叫停Meta收購AI初創企業Manus
